6吋氮化镓集成电路外延材料技术(6吋氮化镓集成电路芯片产品)

产品技术信息

  6吋氮化镓集成电路外延材料技术(6吋氮化镓集成电路芯片产品)

  1.产品技术简介

  GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新

型半导体材料，并与sic、金刚石等半导体材料一起，被誉为继第一代ce、si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有的超宽禁带、强的原子键、高的热导率、可靠的化学稳定性，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

    GaN是微波功率器件的首选，其功率密度是现有GaAs器件的10倍。SiC衬底上外延GaN因其外延材料质量好、衬底热导率高在高端微波功率应用领域占据了主流地位。本外延结构技术的突破，有助于解决GaN微波功率器件实际应用中的瓶颈问题，加快GaN微波功率器件的应用推广，可满足20GHz以下GaN HEMT器件与电路应用需求。

  2.主要产品技术指标

  6吋GaN HEMT外延结构的主要技术指标可

以达到以下标准：

    ①二维电子气浓度Ns>1×10¹³cm^-2；

    ②载流子迁移率μ>2000cm²／v·s；

    ③方阻R_sh<300Ω。